ON Semiconductor Tranzisztor (BJT) - diszkrét MJ11015G TO-3 Csatornák 1 PNP - Darlington
EAN:
Gyártól szám:
Rendelési szám:
Termék típus
Tranzisztor (BJT) - diszkrét
Ház
TO-3
Kivitel
PNP - Darlington
Kollektor áram I(C)
-30 A
Kollektor-emiter feszültség U(CEO)
-120 V
Adatlap (PDF)
62 db
Mennyiség (db)
Megtakarítás
csomagolási ár (ÁFA nélkül)
1
-
3850Ft
3
6% = 221Ft
3629Ft
5
8% = 309Ft
3541Ft
10
10% = 368Ft
3482Ft
25
11% = 427Ft
3423Ft
50
13% = 508Ft
3342Ft
A mennyiségi kedvezmények az eladótól függően változhatnak
Az Ön megtakarítása 0Ft
Szám
Összesen (3850Ft / Darab)
Ft
Műszaki adatok
- Gyártói szám
MJ11015G
- Termék típus
Tranzisztor (BJT) - diszkrét
- Ház
TO-3
- Gyártó
ON Semiconductor
- Gyártó
OnS
- Csatornák
1
- Kivitel
PNP - Darlington
- Kollektor áram I(C)
-30 A
- Kollektor-emiter feszültség U(CEO)
-120 V
- VCE telítettség (max.)
-4 V
- Kollektor maradékáram I(CES)
-1 mA
- Teljesítmény (max.) P(TOT)
200 W
- DC áramerősítés (hFE)
1000
- DC áramerősítés hFE - referenciaáram
-20 A
- DC áramerősítés hFE - referenciafeszültség
-5 V
- Tranzit frekvencia f(T)
4 MHz
- Szerelési mód
Átvezető lyuk
- Tartalom
1 db
- Kivitel
PNP
Dokumentumok és letöltések
Adatlap
Adatlap 151333 ON Semiconductor Tranzisztor (BJT) - diszkrét MJ11015G TO-3 Csatornák 1 PNP - Darlington
Kezelési- és biztonsági utasítások
Kezelési- és biztonsági utasítások 151333 ON Semiconductor Tranzisztor (BJT) - diszkrét MJ11015G TO-3 Csatornák 1 PNP - Darlington