Rendeléshez szükséges a JavaScriptek futásának engedélyezése, kérjük, módosítsa böngészője beállításait!
{{#unless user.loggedIn}} {{#xif " digitalData.page.category.pageType !== 'checkout_confirmation' " }} {{/xif}} {{/unless}}

Bipoláris tranzisztor, NPN, VMT3, I(C) 100 mA, U(CEO) 50 V, ROHM Semiconductor DTC114EMT2L

ROHM Semiconductor
Rendelési szám: 140521 - 62
Típus szám: DTC114EMT2L |  EAN: 2050001281722
  • Bipoláris tranzisztor, NPN, VMT3, I(C) 100 mA, U(CEO) 50 V, ROHM Semiconductor DTC114EMT2L
  • Bipoláris tranzisztor, NPN, VMT3, I(C) 100 mA, U(CEO) 50 V, ROHM Semiconductor DTC114EMT2L
  • 30 Ft
    Áraink az ÁFÁ-t tartalmazzák, szállítási költség nélkül.
    Nem rendelhető
    • Csatornák: 1
    • Típus (kategória): Tranzisztor (BJT) - diszkrét, előfeszültség
    • Ház: SOT-723
    • Kivitel (tranzisztor): NPN
    • Gyártó: ROH

    Műszaki adatok

    Csatornák
    1
    Típus (kategória)
    Tranzisztor (BJT) - diszkrét, előfeszültség
    Ház
    SOT-723
    Kivitel (tranzisztor)
    NPN
    Gyártó
    ROH
    Kivitel
    NPN
    Kivitel
    Felületi szerelés
    Kollektor maradékáram I(CES)
    500 nA
    Kollektor-emiter feszültség U(CEO)
    50 V
    IC
    50 mA
    DC áramerősítés hFE - referenciaáram
    5 mA
    DC áramerősítés hFE - referenciafeszültség
    5 V
    DC áramerősítés (hFE)
    30
    Teljesítmény (max.) P(TOT)
    150 mW
    Ellenállás R(1)
    10 kΩ
    Ellenállás R(2)
    10 kΩ
    Tranzit frekvencia f(T)
    250 MHz
    VCE telítettség (max.)
    300 mV
    Típus
    DTC114EMT2L
    I C (A)
    100 mA
    Ház típus
    VMT3

    Termékleírások & letöltések

    Leírás

    Digitális tranzisztor NPN BIAS ellenállással.
    Kérdések, hozzászólások