Rendeléshez szükséges a JavaScriptek futásának engedélyezése, kérjük, módosítsa böngészője beállításait!
{{#unless user.loggedIn}} {{#xif " digitalData.page.category.pageType !== 'checkout_confirmation' " }} {{/xif}} {{/unless}}

HEXFET/FETKY, N csatornás, ház típus: DPAK, I(D) 10 A, U(DS) 100 V, International Rectifier IRLR120N

Infineon Technologies
Rendelési szám: 162845 - 62
Típus szám: IRLR120N |  EAN: 2050000044526
HEXFET/FETKY, N csatornás, ház típus: DPAK, I(D) 10 A, U(DS) 100 V, International Rectifier IRLR120N
HEXFET/FETKY, N csatornás, ház típus: DPAK, I(D) 10 A, U(DS) 100 V, International Rectifier IRLR120N
  • 445 Ft
    Megtakarítás 80 Ft
    365 Ft
    Áraink az ÁFÁ-t tartalmazzák, szállítási költség nélkül.
    Rendelhető Szállítási határidő: 5-7 munkanap

    HEXFET/FETKY

    Műszaki adatok

    Gyártói szám
    IRLR120N
    Ház
    TO-263-3
    Gyártó
    Infineon Technologies
    Gyártó
    INF
    Kivitel (tranzisztor)
    N csatornás
    I(d)
    10 A
    UBR DSS
    100 V
    Teljesítmény (max.) P(TOT)
    48 W
    R(DS)(on)
    185 mΩ
    Referencia áram R(DS)(on)
    6 A
    Referencia feszültség R(DS)(on)
    10 V
    U(GS)(th) max.
    2 V
    Referencia áram max. U(GS)(th)
    250 µA
    Q(G)
    20 C
    Referencia feszültség Q(G)
    5 V
    C(ISS)
    440 pF
    Referencia feszültség C(ISS)
    25 V
    Üzemi hőmérséklet (min.)
    -55 °C
    Kivitel
    Felületi szerelés
    Sorozat
    HEXFET®
    Üzemi hőmérséklet (max.)
    +175 °C
    Tranzisztor jellemzők
    Standard
    U(DSS)
    100 V
    Típus (kategória)
    MOSFET
    Csatornák
    1
    Kivitel
    N csatornás
    Típus
    IRLR120N
    Leírás
    100 V/10 A
    I
    10 A
    UDS
    100 V
    Ház típus
    DPAK
    R DS(on) Ω
    0.185 Ω

    Termékleírások & letöltések

    Műszaki adatok

    Kérdések, hozzászólások