Rendeléshez szükséges a JavaScriptek futásának engedélyezése, kérjük, módosítsa böngészője beállításait!
{{#unless user.loggedIn}} {{#xif " digitalData.page.category.pageType !== 'checkout_confirmation' " }} {{/xif}} {{/unless}}

MOSFET 2N-KA 30V 9. IRF8313PBF SOIC-8 IR

Infineon Technologies
Rendelési szám: 564012 - 62
Típus szám: IRF8313PBF |  EAN: 2050003203029
  • Hasonló kivitel
  • MOSFET 2N-KA 30V 9. IRF8313PBF SOIC-8 IR

Műszaki adatok

C(ISS)
760 pF
Csatornák
2
Gyártó
INF
Ház
SOIC-8
Ház típus
SOIC-8
I(d)
9.7 A
Kivitel
Felületi szerelés
Kivitel (tranzisztor)
N csatornás
Q(G)
90 C
R(DS)(on)
15.5 mΩ
Referencia feszültség C(ISS)
15 V
Referencia feszültség Q(G)
4.5 V
Referencia feszültség R(DS)(on)
10 V
Referencia áram R(DS)(on)
9.7 A
Referencia áram max. U(GS)(th)
25 µA
Teljesítmény (max.) P(TOT)
2 W
Tranzisztor jellemzők
Logikai szint kapu
Típus
IRF8313PBF
Típus (kategória)
MOSFET
U(DSS)
30 V
U(GS)(th) max.
2.35 V
UBR DSS
30 V
Üzemi hőmérséklet (max.)
+175 °C
Üzemi hőmérséklet (min.)
-55 °C

Termékleírások & letöltések

Kérdések, hozzászólások
Oldal tetejére