Rendeléshez szükséges a JavaScriptek futásának engedélyezése, kérjük, módosítsa böngészője beállításait!
{{#unless user.loggedIn}} {{#xif " digitalData.page.category.pageType !== 'checkout_confirmation' " }} {{/xif}} {{/unless}}

MOSFET (HEXFET), N csatornás, ház típus: DIP-4, I(D) 1 A, U(DS) 100 V, Vishay IRFD110PBF

Vishay
Rendelési szám: 162582 - 62
Típus szám: IRFD110PBF |  EAN: 2050000042409
  • Hasonló kivitel
  • MOSFET (HEXFET), N csatornás, ház típus: DIP-4, I(D) 1 A, U(DS) 100 V, Vishay IRFD110PBF
  • 395 Ft
    Áraink az ÁFÁ-t tartalmazzák, szállítási költség nélkül.
    Mennyiség Darab Ár (Ft) Megtakaritás
    1 395,00 Ft --
    5 345,00 Ft 13% = 250,00 Ft
    10 295,00 Ft 25% = 1 000,00 Ft
    Rendelhető Szállítási határidő: 5-7 munkanap
    • Gyártói szám: IRFD110PBF
    • Gyártó: Vishay
    • Gyártó: VIS
    • Kivitel (tranzisztor): N csatornás
    • I(d): 1 A

    MOSFET (HEXFET)

    Műszaki adatok

    Gyártói szám
    IRFD110PBF
    Gyártó
    Vishay
    Gyártó
    VIS
    Kivitel (tranzisztor)
    N csatornás
    I(d)
    1 A
    UBR DSS
    100 V
    Teljesítmény (max.) P(TOT)
    1.3 W
    R(DS)(on)
    540 mΩ
    Referencia áram R(DS)(on)
    600 mA
    Referencia feszültség R(DS)(on)
    10 V
    U(GS)(th) max.
    4 V
    Referencia áram max. U(GS)(th)
    250 µA
    Q(G)
    8.3 C
    Referencia feszültség Q(G)
    10 V
    C(ISS)
    180 pF
    Referencia feszültség C(ISS)
    25 V
    Üzemi hőmérséklet (min.)
    -55 °C
    Kivitel
    Átvezető lyuk
    Üzemi hőmérséklet (max.)
    +175 °C
    Tranzisztor jellemzők
    Standard
    U(DSS)
    100 V
    Típus (kategória)
    MOSFET
    Csatornák
    1
    Kivitel
    N csatornás
    Típus
    IRFD110PBF
    Leírás
    100 V/1 A
    I
    1 A
    UDS
    100 V
    Ház típus
    DIP-4
    R DS(on) Ω
    0.54 Ω

    Termékleírások & letöltések

    Hasonló termékek
    Kérdések, hozzászólások