Rendeléshez szükséges a JavaScriptek futásának engedélyezése, kérjük, módosítsa böngészője beállításait!
{{#unless user.loggedIn}} {{#xif " digitalData.page.category.pageType !== 'checkout_confirmation' " }} {{/xif}} {{/unless}}

MOSFET (HEXFET/FETKY), N csatornás, ház típus: TO-220AB, I(D) 59 A, U(DS) 100 V, International Rectifier IRF3710Z

Rendelési szám: 164339 - 62
Típus szám: IRF3710Z |  EAN: 2050000052965
Hasonló kivitel
  • 395 Ft
    Áraink az ÁFÁ-t tartalmazzák, szállítási költség nélkül.
    Rendelhető Szállítási határidő: 5-7 munkanap

    MOSFET (HEXFET/FETKY)

    Műszaki adatok

    Gyártói szám
    IRF3710Z
    Ház
    TO‑263‑3
    Gyártó
    Infineon Technologies
    Gyártó
    INF
    Kivitel (tranzisztor)
    N csatornás
    I(d)
    59 A
    UBR DSS
    100 V
    Ptot
    160 W
    R(DS)(on)
    18 mΩ
    Referencia áram R(DS)(on)
    35 A
    Referencia feszültség R(DS)(on)
    10 V
    U(GS)(th) max.
    4 V
    Referencia áram max. U(GS)(th)
    250 µA
    Q(G)
    120 C
    Referencia feszültség Q(G)
    10 V
    C(ISS)
    2900 pF
    Referencia feszültség C(ISS)
    25 V
    Üzemi hőmérséklet (min.)
    ‑55 °C
    Kivitel
    Felületi szerelés
    Üzemi hőmérséklet (max.)
    +175 °C
    Sorozat
    HEXFET®
    Tranzisztor jellemzők
    Standard
    U(DSS)
    100 V
    Típus (kategória)
    MOSFET
    Csatornák
    1
    Target 3001!
    Kivitel
    N csatornás
    UDS
    100 V
    Típus
    IRF3710Z
    R DS(on) Ω
    18.00 Ω
    Leírás
    100 V/59 A
    I
    59 A
    Ház típus
    TO 220 AB

    Termékleírások & letöltések

    Műszaki adatok

    Főbb jellemzők

    Hasonló keresések
    IRF3710Z, Infineon Technologies
    Hasonló termékek
    Kérdések, hozzászólások