Rendeléshez szükséges a JavaScriptek futásának engedélyezése, kérjük, módosítsa böngészője beállításait!
{{#unless user.loggedIn}} {{#xif " digitalData.page.category.pageType !== 'checkout_confirmation' " }} {{/xif}} {{/unless}}

MOSFET (HEXFET/FETKY), N csatornás, ház típus:D2PAK, I(D) 42 A, U(DS) 100 V, International Rectifier IRF1310NS

Rendelési szám: 162371 - 62
Típus szám: IRF1310NS |  EAN: 2050000040702
Hasonló kivitel
  • 1 490 Ft
    Áraink az ÁFÁ-t tartalmazzák, szállítási költség nélkül.
    Rendelhető Szállítási határidő: 5-7 munkanap

    MOSFET (HEXFET/FETKY)

    Műszaki adatok

    Gyártói szám
    IRF1310NS
    Ház
    TO‑263‑3
    Gyártó
    Infineon Technologies
    Gyártó
    INF
    Kivitel (tranzisztor)
    N csatornás
    I(d)
    42 A
    UBR DSS
    100 V
    R(DS)(on)
    36 mΩ
    Referencia áram R(DS)(on)
    22 A
    Referencia feszültség R(DS)(on)
    10 V
    U(GS)(th) max.
    4 V
    Referencia áram max. U(GS)(th)
    250 µA
    Q(G)
    110 C
    Referencia feszültség Q(G)
    10 V
    C(ISS)
    1900 pF
    Referencia feszültség C(ISS)
    25 V
    Üzemi hőmérséklet (min.)
    ‑55 °C
    Kivitel
    Felületi szerelés
    Üzemi hőmérséklet (max.)
    +175 °C
    Sorozat
    HEXFET®
    Tranzisztor jellemzők
    Standard
    U(DSS)
    100 V
    Típus (kategória)
    MOSFET
    Csatornák
    1
    Kivitel
    N csatornás
    UDS
    100 V
    Típus
    IRF1310NS
    R DS(on) Ω
    0.036 Ω
    Leírás
    100 V/42 A
    I
    42 A
    Ház típus
    D2PAK

    Termékleírások & letöltések

    Műszaki adatok

    Hasonló keresések
    IRF1310NS, Infineon Technologies
    Hasonló termékek
    Kérdések, hozzászólások