Rendeléshez szükséges a JavaScriptek futásának engedélyezése, kérjük, módosítsa böngészője beállításait!
{{#unless user.loggedIn}} {{#xif " digitalData.page.category.pageType !== 'checkout_confirmation' " }} {{/xif}} {{/unless}}

MOSFET (HEXFET/FETKY), N csatornás, ház típus:TO-220, I(D) 57 A, U(DS) 60 V, International Rectifier IRF1010E

Infineon Technologies
Rendelési szám: 162358 - 62
Típus szám: IRF1010E |  EAN: 2050000040597
Hasonló kivitel
MOSFET (HEXFET/FETKY), N csatornás, ház típus:TO-220, I(D) 57 A, U(DS) 60 V, International Rectifier IRF1010E
  • 645 Ft
    Megtakarítás 120 Ft
    525 Ft
    Áraink az ÁFÁ-t tartalmazzák, szállítási költség nélkül.
    Rendelhető Szállítási határidő: 5-7 munkanap

    MOSFET (HEXFET/FETKY)

    Műszaki adatok

    Gyártói szám
    IRF1010E
    Ház
    TO-220
    Gyártó
    Infineon Technologies
    Gyártó
    INF
    Kivitel (tranzisztor)
    N csatornás
    I(d)
    84 A
    UBR DSS
    60 V
    Teljesítmény (max.) P(TOT)
    200 W
    R(DS)(on)
    12 mΩ
    Referencia áram R(DS)(on)
    50 A
    Referencia feszültség R(DS)(on)
    10 V
    U(GS)(th) max.
    4 V
    Referencia áram max. U(GS)(th)
    250 µA
    Q(G)
    130 C
    Referencia feszültség Q(G)
    10 V
    C(ISS)
    3210 pF
    Referencia feszültség C(ISS)
    25 V
    Üzemi hőmérséklet (min.)
    -55 °C
    Kivitel
    Átvezető lyuk
    Sorozat
    HEXFET®
    Üzemi hőmérséklet (max.)
    +175 °C
    Tranzisztor jellemzők
    Standard
    U(DSS)
    60 V
    Típus (kategória)
    MOSFET
    Csatornák
    1
    Kivitel
    N csatornás
    Típus
    IRF1010E
    Leírás
    60 V/81 A
    I
    57 A
    UDS
    60 V
    Ház típus
    TO 220
    R DS(on) Ω
    0.012 Ω

    Termékleírások & letöltések

    Műszaki adatok

    Hasonló termékek
    Kérdések, hozzászólások