Rendeléshez szükséges a JavaScriptek futásának engedélyezése, kérjük, módosítsa böngészője beállításait!
{{#unless user.loggedIn}} {{#xif " digitalData.page.category.pageType !== 'checkout_confirmation' " }} {{/xif}} {{/unless}}

MOSFET, N csatornás, ház típus: HEXDIP, I(D) 2,5 A, U(DS) 60 V, International Rectifier IRLD024PBF

Infineon Technologies
Rendelési szám: 162806 - 62
Típus szám: IRLD024PBF |  EAN: 2050000044229
  • 295 Ft
    (Megtakarítás 60 Ft)
    235 Ft
    Áraink az ÁFÁ-t tartalmazzák, szállítási költség nélkül.
    Mennyiség Darab Ár (Ft) Megtakaritás
    1 235,00 Ft --
    5 215,00 Ft 9% = 100,00 Ft
    10 195,00 Ft 17% = 400,00 Ft
    Rendelhető Szállítási határidő: 5-7 munkanap
    • Gyártói szám: IRLD024PBF
    • Gyártó: Infineon Technologies
    • Gyártó: INF
    • Kivitel (tranzisztor): N csatornás
    • I(d): 2.5 A

    MOSFET

    Műszaki adatok

    Gyártói szám
    IRLD024PBF
    Gyártó
    Infineon Technologies
    Gyártó
    INF
    Kivitel (tranzisztor)
    N csatornás
    I(d)
    2.5 A
    UBR DSS
    60 V
    Teljesítmény (max.) P(TOT)
    1.3 W
    R(DS)(on)
    100 mΩ
    Referencia áram R(DS)(on)
    1.5 A
    Referencia feszültség R(DS)(on)
    5 V
    U(GS)(th) max.
    2 V
    Referencia áram max. U(GS)(th)
    250 µA
    Q(G)
    18 C
    Referencia feszültség Q(G)
    5 V
    C(ISS)
    870 pF
    Referencia feszültség C(ISS)
    25 V
    Üzemi hőmérséklet (min.)
    -55 °C
    Kivitel
    Átvezető lyuk
    Üzemi hőmérséklet (max.)
    +175 °C
    Tranzisztor jellemzők
    Logikai szint kapu
    U(DSS)
    60 V
    Típus (kategória)
    MOSFET
    Csatornák
    1
    Kivitel
    N csatornás
    Típus
    IRLD024PBF
    Leírás
    60 V/2,5 A
    I
    2.5 A
    UDS
    60 V
    Ház típus
    HEXDIP
    R DS(on) Ω
    0.1 Ω

    Termékleírások & letöltések

    Műszaki adatok

    Hasonló termékek
    Kérdések, hozzászólások