Rendeléshez szükséges a JavaScriptek futásának engedélyezése, kérjük, módosítsa böngészője beállításait!
{{#unless user.loggedIn}} {{#xif " digitalData.page.category.pageType !== 'checkout_confirmation' " }} {{/xif}} {{/unless}}

MOSFET,N csatornás, ház típus: TO-220, I(D) 31 A, U(DS) 200 V, International Rectifier IRFB31N20DPBF

Rendelési szám: 162559 - 62
Típus szám: IRFB31N20DPBF |  EAN: 2050000042171
Hasonló kivitel
  • 595 Ft
    Áraink az ÁFÁ-t tartalmazzák, szállítási költség nélkül.
    Rendelhető Szállítási határidő: 5-7 munkanap

    MOSFET

    Műszaki adatok

    Gyártói szám
    IRFB31N20DPBF
    Ház
    TO‑220
    Gyártó
    Infineon Technologies
    Gyártó
    INF
    Kivitel (tranzisztor)
    N csatornás
    I(d)
    31 A
    UBR DSS
    200 V
    Ptot
    3.1 W
    R(DS)(on)
    82 mΩ
    Referencia áram R(DS)(on)
    18 A
    Referencia feszültség R(DS)(on)
    10 V
    U(GS)(th) max.
    5.5 V
    Referencia áram max. U(GS)(th)
    250 µA
    Q(G)
    107 C
    Referencia feszültség Q(G)
    10 V
    C(ISS)
    2370 pF
    Referencia feszültség C(ISS)
    25 V
    Üzemi hőmérséklet (min.)
    ‑55 °C
    Kivitel
    Átvezető lyuk
    Üzemi hőmérséklet (max.)
    +175 °C
    Sorozat
    HEXFET®
    Tranzisztor jellemzők
    Standard
    U(DSS)
    200 V
    Típus (kategória)
    MOSFET
    Csatornák
    1
    Target 3001!
    Kivitel
    N csatornás
    UDS
    200 V
    Típus
    IRFB31N20DPBF
    R DS(on) Ω
    0,082 ohm
    Leírás
    200 V/31 A
    I
    31 A
    Ház típus
    TO 220

    Termékleírások & letöltések

    Műszaki adatok

    Főbb jellemzők

    Hasonló keresések
    Infineon Technologies, IRFB31N20DPBF
    Hasonló termékek
    Rendeljen hozzá tartozékot is!
    Kérdések, hozzászólások