Hasonló kivitel
Hasonló kivitel
NXP Semiconductors Tranzisztor (BJT) - diszkrét PHE13009,127 TO-220AB Csatornák 1 NPN
EAN:
Gyártól szám:
Rendelési szám:
Termék típus
Tranzisztor (BJT) - diszkrét
Ház
TO-220AB
Kivitel
NPN
Kollektor áram I(C)
12 A
Kollektor-emiter feszültség U(CEO)
400 V
Adatlap (PDF)
68 db
Mennyiség (db)
Megtakarítás
csomagolási ár (ÁFA nélkül)
1
-
681Ft
10
7% = 48Ft
633Ft
25
10% = 70Ft
611Ft
50
12% = 84Ft
597Ft
100
15% = 101Ft
580Ft
500
17% = 119Ft
562Ft
1000
20% = 139Ft
542Ft
A mennyiségi kedvezmények az eladótól függően változhatnak
Az Ön megtakarítása 0Ft
Szám
Összesen (681Ft / Darab)
Ft
Műszaki adatok
- Gyártói szám
PHE13009,127
- Termék típus
Tranzisztor (BJT) - diszkrét
- Ház
TO-220AB
- Gyártó
NXP Semiconductors
- Gyártó
NXP
- Csatornák
1
- Kivitel
NPN
- Kollektor áram I(C)
12 A
- Kollektor-emiter feszültség U(CEO)
400 V
- VCE telítettség (max.)
2 V
- Kollektor maradékáram I(CES)
100 µA
- Teljesítmény (max.) P(TOT)
80 W
- DC áramerősítés (hFE)
8
- DC áramerősítés hFE - referenciaáram
5 A
- DC áramerősítés hFE - referenciafeszültség
5 V
- Szerelési mód
Átvezető lyuk
- Tartalom
1 db
- Kivitel
NPN
- Típus
MJE 13009
- Ház típus
TO 220 AB
Dokumentumok és letöltések
Adatlap
Adatlap 150857 NXP Semiconductors Tranzisztor (BJT) - diszkrét PHE13009,127 TO-220AB Csatornák 1 NPN
Kezelési- és biztonsági utasítások
Kezelési- és biztonsági utasítások 150857 NXP Semiconductors Tranzisztor (BJT) - diszkrét PHE13009,127 TO-220AB Csatornák 1 NPN