Hasonló kivitel
Hasonló kivitel
ON Semiconductor Tranzisztor (BJT) - diszkrét MJE13007G TO-220AB Csatornák 1 NPN
EAN:
Gyártól szám:
Rendelési szám:
Termék típus
Tranzisztor (BJT) - diszkrét
Ház
TO-220AB
Kivitel
NPN
Kollektor áram I(C)
8 A
Kollektor-emiter feszültség U(CEO)
400 V
83 db
Mennyiség (db)
Megtakarítás
csomagolási ár (ÁFA nélkül)
3
-
492Ft
9
7% = 35Ft
457Ft
15
10% = 50Ft
442Ft
30
12% = 61Ft
431Ft
60
15% = 73Ft
419Ft
120
17% = 86Ft
406Ft
300
21% = 101Ft
391Ft
A mennyiségi kedvezmények az eladótól függően változhatnak
Az Ön megtakarítása 0Ft
Szám
Min.: 3
Összesen (492Ft / Darab)
Ft
Műszaki adatok
- Gyártói szám
MJE13007G
- Termék típus
Tranzisztor (BJT) - diszkrét
- Ház
TO-220AB
- Gyártó
ON Semiconductor
- Gyártó
OnS
- Csatornák
1
- Kivitel
NPN
- Kollektor áram I(C)
8 A
- Kollektor-emiter feszültség U(CEO)
400 V
- VCE telítettség (max.)
3 V
- Kollektor maradékáram I(CES)
100 µA
- Teljesítmény (max.) P(TOT)
80 W
- Sorozat
SWITCHMODE™
- DC áramerősítés (hFE)
5
- DC áramerősítés hFE - referenciaáram
5 A
- DC áramerősítés hFE - referenciafeszültség
5 V
- Tranzit frekvencia f(T)
14 MHz
- Szerelési mód
Átvezető lyuk
- Tartalom
1 db
- Kivitel
NPN
Dokumentumok és letöltések
Kezelési- és biztonsági utasítások
Kezelési- és biztonsági utasítások 151208 ON Semiconductor Tranzisztor (BJT) - diszkrét MJE13007G TO-220AB Csatornák 1 NPN