Rendeléshez szükséges a JavaScriptek futásának engedélyezése, kérjük, módosítsa böngészője beállításait!
{{#unless user.loggedIn}} {{#xif " digitalData.page.category.pageType !== 'checkout_confirmation' " }} {{/xif}} {{/unless}}

Tranzisztor (BJT) - diszkrét ON Semiconductor MJ11016G TO-3

ON Semiconductor
Rendelési szám: 151307 - 62
Típus szám: MJ11016G |  EAN: 2050000013713
  • Hasonló kivitel
  • Tranzisztor (BJT) - diszkrét ON Semiconductor MJ11016G TO-3
  • 1 490 Ft
    Áraink az ÁFÁ-t tartalmazzák, szállítási költség nélkül.
    Mennyiség darab Ár (Ft) Megtakaritás
    1 1 490,00 Ft --
    3 1 390,00 Ft 7% = 300,00 Ft
    5 1 290,00 Ft 13% = 1 000,00 Ft
    Rendelhető Szállítási határidő: 5-7 munkanap
    • Gyártói szám: MJ11016G
    • Ház: TO-3
    • Gyártó: ON Semiconductor
    • Gyártó: OnS
    • Típus (kategória): Tranzisztor (BJT) - diszkrét

    Darlington teljesítmény tranzisztor

    Műszaki adatok

    Gyártói szám
    MJ11016G
    Ház
    TO-3
    Gyártó
    ON Semiconductor
    Gyártó
    OnS
    Típus (kategória)
    Tranzisztor (BJT) - diszkrét
    Csatornák
    1
    Kivitel (tranzisztor)
    NPN - Darlington
    IC
    30 A
    Kollektor-emiter feszültség U(CEO)
    120 V
    VCE telítettség (max.)
    4 V
    Kollektor maradékáram I(CES)
    1 mA
    Teljesítmény (max.) P(TOT)
    200 W
    DC áramerősítés (hFE)
    1000
    DC áramerősítés hFE - referenciaáram
    20 A
    DC áramerősítés hFE - referenciafeszültség
    5 V
    Tranzit frekvencia f(T)
    4 MHz
    Kivitel
    Átvezető lyuk
    Kivitel
    NPN

    Termékleírások & letöltések

    Kérdések, hozzászólások
    Oldal tetejére