Rendeléshez szükséges a JavaScriptek futásának engedélyezése, kérjük, módosítsa böngészője beállításait!
{{#unless user.loggedIn}} {{#xif " digitalData.page.category.pageType !== 'checkout_confirmation' " }} {{/xif}} {{/unless}}

MOSFET (HEXFET /FETKY), N csatornás, ház típus:TO-220, I(D) 18 A, U(DS) 200 V, International Rectifier IRF640N

Rendelési szám: 162424 - 62
Típus szám: IRF640NPBF |  EAN: 2050000041150
Hasonló kivitel
  • 395 Ft
    Áraink az ÁFÁ-t tartalmazzák, szállítási költség nélkül.
    Rendelhető Szállítási határidő: 5-7 munkanap

    MOSFET (HEXFET /FETKY)

    Műszaki adatok

    Gyártói szám
    IRF640N
    Ház
    TO‑220
    Gyártó
    Infineon Technologies
    Gyártó
    INF
    UBR DSS
    200 V
    Ptot
    150 W
    R(DS)(on)
    150 mΩ
    Üzemi hőmérséklet (min.)
    ‑55 °C
    Kivitel
    Átvezető lyuk
    Sorozat
    HEXFET®
    Üzemi hőmérséklet (max.)
    +175 °C
    Csatornák
    1
    Target 3001!
    Típus
    IRF640N
    Ház típus
    TO 220
    I
    18 A
    Leírás
    200 V/18 A
    UDS
    200 V
    R DS(on) Ω
    0,15 ohm
    Kivitel
    N csatornás

    Termékleírások & letöltések

    Műszaki adatok

    Főbb jellemzők

    Leírás

    Egy MOSFET tranzisztor feszültségvezérelt építőelem, amely közvetlenül csatlakoztatható nagyohmos forrásokhoz. Alkalmas kapcsolóként vagy analóg erősítőként való alkalmazásra. Megjegyzés: Gyártó SIE = INF, HAR = FSC, MOT = ONS.
    Hasonló keresések
    IRF640NPBF, Infineon Technologies, IRF640N
    Kérdések, hozzászólások