Rendeléshez szükséges a JavaScriptek futásának engedélyezése, kérjük, módosítsa böngészője beállításait!
{{#unless user.loggedIn}} {{#xif " digitalData.page.category.pageType !== 'checkout_confirmation' " }} {{/xif}} {{/unless}}

MOSFET (HEXFET /FETKY), N csatornás, ház típus:TO-220, I(D) 9,3 A, U(DS) 200 V, International Rectifier IRF630N

Rendelési szám: 162421 - 62
Típus szám: IRF630N |  EAN: 2050000041129
Hasonló kivitel
  • 295 Ft
    Áraink az ÁFÁ-t tartalmazzák, szállítási költség nélkül.
    Rendelhető Szállítási határidő: 5-7 munkanap

    MOSFET (HEXFET /FETKY)

    Műszaki adatok

    Gyártói szám
    IRF630N
    Ház
    TO‑263‑3
    Gyártó
    Infineon Technologies
    Gyártó
    INF
    Kivitel (tranzisztor)
    N csatornás
    I(d)
    9.3 A
    UBR DSS
    200 V
    R(DS)(on)
    300 mΩ
    Referencia áram R(DS)(on)
    5.4 A
    Referencia feszültség R(DS)(on)
    10 V
    U(GS)(th) max.
    4 V
    Referencia áram max. U(GS)(th)
    250 µA
    Q(G)
    35 C
    Referencia feszültség Q(G)
    10 V
    C(ISS)
    575 pF
    Referencia feszültség C(ISS)
    25 V
    Üzemi hőmérséklet (min.)
    ‑55 °C
    Kivitel
    Felületi szerelés
    Üzemi hőmérséklet (max.)
    +175 °C
    Sorozat
    HEXFET®
    Tranzisztor jellemzők
    Standard
    U(DSS)
    200 V
    Típus (kategória)
    MOSFET
    Csatornák
    1
    Kivitel
    N csatornás
    UDS
    200 V
    Típus
    IRF630N
    R DS(on) Ω
    0,3 ohm
    Leírás
    200 V/9,3 A
    I
    9.3 A
    Ház típus
    TO 220

    Termékleírások & letöltések

    Műszaki adatok

    Leírás

    Egy MOSFET tranzisztor feszültségvezérelt építőelem, amely közvetlenül csatlakoztatható nagyohmos forrásokhoz. Alkalmas kapcsolóként vagy analóg erősítőként való alkalmazásra. Megjegyzés: Gyártó SIE = INF, HAR = FSC, MOT = ONS.
    Hasonló keresések
    IRF630N, Infineon Technologies
    Rendeljen hozzá tartozékot is!
    Kérdések, hozzászólások