Hasonló kivitel
Hasonló kivitel
MOSFET (HEXFET/FETKY), N csatornás, ház típus:TO-220, I(D) 2 A, U(DS) 400 V, International Rectifier IRF710
EAN:
Gyártól szám:
Rendelési szám:
Termék típus
MOSFET
Ház
TO-220AB
Kivitel
N csatornás
Teljesítmény (max.) P(TOT)
36 W
R(DS)(on)
3.6 Ω
Adatlap (PDF)
46 db
Mennyiség (db)
Megtakarítás
csomagolási ár (ÁFA nélkül)
5
-
311Ft
15
7% = 22Ft
289Ft
25
10% = 32Ft
279Ft
50
13% = 39Ft
272Ft
100
15% = 46Ft
265Ft
200
17% = 54Ft
257Ft
500
21% = 64Ft
247Ft
A mennyiségi kedvezmények az eladótól függően változhatnak
Az Ön megtakarítása 0Ft
Szám
Min.: 5
Összesen (311Ft / Darab)
1555Ft
ÁFA nélkül
14 napos visszavételi garancia
Főbb jellemzők
MOSFET (HEXFET/FETKY)
Szolgáltatásunk az Ön számára
Műszaki adatok
- Gyártói szám
IRF710PBF
- Termék típus
MOSFET
- Ház
TO-220AB
- Gyártó
Vishay
- Gyártó
VIS
- Kivitel
N csatornás
- I(d)
2 A
- UBR DSS
400 V
- Teljesítmény (max.) P(TOT)
36 W
- R(DS)(on)
3.6 Ω
- Referencia áram R(DS)(on)
1.2 A
- Referencia feszültség R(DS)(on)
10 V
- U(GS)(th) max.
4 V
- Referencia áram max. U(GS)(th)
250 µA
- Q(G)
17 nC
- Referencia feszültség Q(G)
10 V
- C(ISS)
170 pF
- Referencia feszültség C(ISS)
25 V
- Üzemi hőmérséklet (min.)
-55 °C
- Szerelési mód
Átvezető lyuk
- Üzemi hőmérséklet (max.)
+150 °C
- Tranzisztor jellemzők
Standard
- U(DSS)
400 V
- Csatornák
1
- Tartalom
1 db
- Kivitel
N csatornás
- Típus
IRF710
- Leírás
400 V/2 A
- Ház típus
TO 220
Dokumentumok és letöltések
Adatlap
Adatlap 162429 MOSFET (HEXFET/FETKY), N csatornás, ház típus:TO-220, I(D) 2 A, U(DS) 400 V, International Rectifier IRF710
Kezelési- és biztonsági utasítások
Kezelési- és biztonsági utasítások 162429 MOSFET (HEXFET/FETKY), N csatornás, ház típus:TO-220, I(D) 2 A, U(DS) 400 V, International Rectifier IRF710