Hasonló kivitel
Hasonló kivitel
MOSFET (HEXFET/FETKY), N csatornás, ház típus:TO-220, I(D) 4,5 A, U(DS) 500 V, Vishay IRF830
EAN:
Gyártól szám:
Rendelési szám:
Termék típus
MOSFET
Ház
TO-220AB
Kivitel
N csatornás
Teljesítmény (max.) P(TOT)
74 W
R(DS)(on)
1.5 Ω
Adatlap (PDF)
97 db
Mennyiség (db)
Megtakarítás
csomagolási ár (ÁFA nélkül)
1
-
602Ft
10
7% = 42Ft
560Ft
25
10% = 62Ft
540Ft
50
12% = 74Ft
528Ft
100
15% = 89Ft
513Ft
500
17% = 105Ft
497Ft
1000
20% = 123Ft
479Ft
A mennyiségi kedvezmények az eladótól függően változhatnak
Az Ön megtakarítása 0Ft
Szám
Összesen (602Ft / Darab)
602Ft
ÁFA nélkül
14 napos visszavételi garancia
Főbb jellemzők
MOSFET (HEXFET/FETKY)
Szolgáltatásunk az Ön számára
Műszaki adatok
- Gyártói szám
IRF830PBF
- Termék típus
MOSFET
- Ház
TO-220AB
- Gyártó
Vishay
- Gyártó
VIS
- Kivitel
N csatornás
- I(d)
4.5 A
- UBR DSS
500 V
- Teljesítmény (max.) P(TOT)
74 W
- R(DS)(on)
1.5 Ω
- Referencia áram R(DS)(on)
2.7 A
- Referencia feszültség R(DS)(on)
10 V
- U(GS)(th) max.
4 V
- Referencia áram max. U(GS)(th)
250 µA
- Q(G)
38 nC
- Referencia feszültség Q(G)
10 V
- C(ISS)
610 pF
- Referencia feszültség C(ISS)
25 V
- Üzemi hőmérséklet (min.)
-55 °C
- Szerelési mód
Átvezető lyuk
- Üzemi hőmérséklet (max.)
+150 °C
- Tranzisztor jellemzők
Standard
- U(DSS)
500 V
- Csatornák
1
- Tartalom
1 db
- Kivitel
N csatornás
- Típus
IRF830
- Leírás
500 V/4,5 A
- Ház típus
TO 220
Dokumentumok és letöltések
Adatlap
Adatlap 162522 MOSFET (HEXFET/FETKY), N csatornás, ház típus:TO-220, I(D) 4,5 A, U(DS) 500 V, Vishay IRF830
Kezelési- és biztonsági utasítások
Kezelési- és biztonsági utasítások 162522 MOSFET (HEXFET/FETKY), N csatornás, ház típus:TO-220, I(D) 4,5 A, U(DS) 500 V, Vishay IRF830