Hasonló kivitel
Hasonló kivitel
MOSFET (HEXFET /FETKY), N csatornás, ház típus:TO-220, I(D) 57 A, U(DS) 100 V, International Rectifier IRF3710
EAN:
Gyártól szám:
Rendelési szám:
Termék típus
MOSFET
Ház
TO-220AB
Kivitel
N csatornás
Teljesítmény (max.) P(TOT)
160 W
R(DS)(on)
18 mΩ
Adatlap (PDF)
22 db
Mennyiség (db)
Megtakarítás
csomagolási ár (ÁFA nélkül)
1
-
768Ft
10
7% = 55Ft
713Ft
25
10% = 79Ft
689Ft
50
13% = 96Ft
672Ft
100
15% = 114Ft
654Ft
500
18% = 135Ft
633Ft
1000
21% = 158Ft
610Ft
A mennyiségi kedvezmények az eladótól függően változhatnak
Az Ön megtakarítása 0Ft
Szám
Összesen (768Ft / Darab)
768Ft
ÁFA nélkül
14 napos visszavételi garancia
Főbb jellemzők
MOSFET (HEXFET /FETKY)
Szolgáltatásunk az Ön számára
Műszaki adatok
- Gyártói szám
IRF3710
- Termék típus
MOSFET
- Ház
TO-220AB
- Gyártó
Infineon Technologies
- Gyártó
INF
- Kivitel
N csatornás
- I(d)
59 A
- UBR DSS
100 V
- Teljesítmény (max.) P(TOT)
160 W
- R(DS)(on)
18 mΩ
- Referencia áram R(DS)(on)
35 A
- Referencia feszültség R(DS)(on)
10 V
- U(GS)(th) max.
4 V
- Referencia áram max. U(GS)(th)
250 µA
- Q(G)
120 nC
- Referencia feszültség Q(G)
10 V
- C(ISS)
2900 pF
- Referencia feszültség C(ISS)
25 V
- Üzemi hőmérséklet (min.)
-55 °C
- Szerelési mód
Felületi szerelés
- Sorozat
HEXFET®
- Üzemi hőmérséklet (max.)
+175 °C
- Tranzisztor jellemzők
Standard
- U(DSS)
100 V
- Csatornák
1
- Tartalom
1 db
- Kivitel
N csatornás
- Típus
IRF3710
- Leírás
100 V/57 A
- Ház típus
TO 220
Dokumentumok és letöltések
Adatlap
Adatlap 162397 MOSFET (HEXFET /FETKY), N csatornás, ház típus:TO-220, I(D) 57 A, U(DS) 100 V, International Rectifier IRF3710
Kezelési- és biztonsági utasítások
Kezelési- és biztonsági utasítások 162397 MOSFET (HEXFET /FETKY), N csatornás, ház típus:TO-220, I(D) 57 A, U(DS) 100 V, International Rectifier IRF3710
Leírás
Egy MOSFET tranzisztor feszültségvezérelt építőelem, amely közvetlenül csatlakoztatható nagyohmos forrásokhoz. Alkalmas kapcsolóként vagy analóg erősítőként való alkalmazásra. Megjegyzés: Gyártó SIE = INF, HAR = FSC, MOT = ONS.