Hasonló kivitel
Hasonló kivitel
MOSFET (HEXFET /FETKY), N csatornás, ház típus:TO-220, I(D) 9,3 A, U(DS) 200 V, International Rectifier IRF630N
EAN:
Gyártól szám:
Rendelési szám:
Termék típus
MOSFET
Ház
TO-263-3
Kivitel
N csatornás
Teljesítmény (max.) P(TOT)
82 W
R(DS)(on)
300 mΩ
Adatlap (PDF)
736 db
Mennyiség (db)
Megtakarítás
csomagolási ár (ÁFA nélkül)
3
-
217Ft
9
6% = 14Ft
203Ft
15
13% = 28Ft
189Ft
30
16% = 34Ft
183Ft
A mennyiségi kedvezmények az eladótól függően változhatnak
Az Ön megtakarítása 0Ft
Szám
Min.: 3
Összesen (217Ft / Darab)
651Ft
ÁFA nélkül
14 napos visszavételi garancia
Főbb jellemzők
MOSFET (HEXFET /FETKY)
Szolgáltatásunk az Ön számára
Műszaki adatok
- Gyártói szám
IRF630N
- Termék típus
MOSFET
- Ház
TO-263-3
- Gyártó
Infineon Technologies
- Gyártó
INF
- Kivitel
N csatornás
- I(d)
9.3 A
- UBR DSS
200 V
- Teljesítmény (max.) P(TOT)
82 W
- R(DS)(on)
300 mΩ
- Referencia áram R(DS)(on)
5.4 A
- Referencia feszültség R(DS)(on)
10 V
- U(GS)(th) max.
4 V
- Referencia áram max. U(GS)(th)
250 µA
- Q(G)
35 nC
- Referencia feszültség Q(G)
10 V
- C(ISS)
575 pF
- Referencia feszültség C(ISS)
25 V
- Üzemi hőmérséklet (min.)
-55 °C
- Szerelési mód
Felületi szerelés
- Sorozat
HEXFET®
- Üzemi hőmérséklet (max.)
+175 °C
- Tranzisztor jellemzők
Standard
- U(DSS)
200 V
- Csatornák
1
- Tartalom
1 db
- Kivitel
N csatornás
- Típus
IRF630N
- Leírás
200 V/9,3 A
- Ház típus
TO 220
Dokumentumok és letöltések
Adatlap
Adatlap 162421 MOSFET (HEXFET /FETKY), N csatornás, ház típus:TO-220, I(D) 9,3 A, U(DS) 200 V, International Rectifier IRF630N
Kezelési- és biztonsági utasítások
Kezelési- és biztonsági utasítások 162421 MOSFET (HEXFET /FETKY), N csatornás, ház típus:TO-220, I(D) 9,3 A, U(DS) 200 V, International Rectifier IRF630N
Leírás
Egy MOSFET tranzisztor feszültségvezérelt építőelem, amely közvetlenül csatlakoztatható nagyohmos forrásokhoz. Alkalmas kapcsolóként vagy analóg erősítőként való alkalmazásra. Megjegyzés: Gyártó SIE = INF, HAR = FSC, MOT = ONS.