Hasonló kivitel
Hasonló kivitel
MOSFET, N csatornás, ház típus: TO-220, I(D) 3,1 A, U(DS) 1000 V, International Rectifier IRFBG30PBF
EAN:
Gyártól szám:
Rendelési szám:
Termék típus
MOSFET
Ház
TO-220
Kivitel
N csatornás
Teljesítmény (max.) P(TOT)
125 W
R(DS)(on)
5 Ω
Adatlap (PDF)
124 db
Mennyiség (db)
Megtakarítás
csomagolási ár (ÁFA nélkül)
1
-
500Ft
10
7% = 35Ft
465Ft
25
10% = 51Ft
449Ft
50
12% = 62Ft
438Ft
100
15% = 74Ft
426Ft
500
17% = 87Ft
413Ft
1000
20% = 102Ft
398Ft
A mennyiségi kedvezmények az eladótól függően változhatnak
Az Ön megtakarítása 0Ft
Szám
Összesen (500Ft / Darab)
500Ft
ÁFA nélkül
14 napos visszavételi garancia
Főbb jellemzők
MOSFET
Szolgáltatásunk az Ön számára
Műszaki adatok
- Gyártói szám
IRFBG30PBF
- Termék típus
MOSFET
- Ház
TO-220
- Gyártó
Vishay
- Gyártó
VIS
- Kivitel
N csatornás
- I(d)
3.1 A
- UBR DSS
1000 V
- Teljesítmény (max.) P(TOT)
125 W
- R(DS)(on)
5 Ω
- Referencia áram R(DS)(on)
1.9 A
- Referencia feszültség R(DS)(on)
10 V
- U(GS)(th) max.
4 V
- Referencia áram max. U(GS)(th)
250 µA
- Q(G)
80 nC
- Referencia feszültség Q(G)
10 V
- C(ISS)
980 pF
- Referencia feszültség C(ISS)
25 V
- Üzemi hőmérséklet (min.)
-55 °C
- Szerelési mód
Átvezető lyuk
- Üzemi hőmérséklet (max.)
+150 °C
- Tranzisztor jellemzők
Standard
- U(DSS)
1000 V
- Csatornák
1
- Tartalom
1 db
- Kivitel
N csatornás
- Típus
IRFBG30PBF
- Leírás
1000 V/3,1 A
- Ház típus
TO 220
Dokumentumok és letöltések
Adatlap
Adatlap 162578 MOSFET, N csatornás, ház típus: TO-220, I(D) 3,1 A, U(DS) 1000 V, International Rectifier IRFBG30PBF
Kezelési- és biztonsági utasítások
Kezelési- és biztonsági utasítások 162578 MOSFET, N csatornás, ház típus: TO-220, I(D) 3,1 A, U(DS) 1000 V, International Rectifier IRFBG30PBF