Hasonló kivitel
Hasonló kivitel
MOSFET ON Semiconductor BS170_D27Z 1 N csatornás 830 mW TO-92-3
EAN:
Gyártól szám:
Rendelési szám:
Termék típus
MOSFET
Ház
TO-92-3
Kivitel
N csatornás
Teljesítmény (max.) P(TOT)
830 mW
R(DS)(on)
5 Ω
2197 db (Csak a készlet erejéig)
Mennyiség (db)
Megtakarítás
csomagolási ár (ÁFA nélkül)
1
-
185Ft
45
6% = 11Ft
174Ft
75
13% = 24Ft
161Ft
150
15% = 28Ft
157Ft
300
18% = 33Ft
152Ft
600
21% = 39Ft
146Ft
1500
26% = 48Ft
137Ft
A mennyiségi kedvezmények az eladótól függően változhatnak
Az Ön megtakarítása 0Ft
Szám
Összesen (185Ft / Darab)
185Ft
ÁFA nélkül
14 napos visszavételi garancia
Főbb jellemzők
MOSFET
Szolgáltatásunk az Ön számára
Műszaki adatok
- Gyártói szám
BS170-D27Z
- Termék típus
MOSFET
- Ház
TO-92-3
- Gyártó
ON Semiconductor
- Gyártó
OnS
- Kivitel
N csatornás
- I(d)
500 mA
- UBR DSS
60 V
- Teljesítmény (max.) P(TOT)
830 mW
- R(DS)(on)
5 Ω
- Referencia áram R(DS)(on)
200 mA
- Referencia feszültség R(DS)(on)
10 V
- U(GS)(th) max.
3 V
- Referencia áram max. U(GS)(th)
1 mA
- C(ISS)
40 pF
- Referencia feszültség C(ISS)
10 V
- Üzemi hőmérséklet (min.)
-55 °C
- Szerelési mód
Átvezető lyuk
- Üzemi hőmérséklet (max.)
+150 °C
- Tranzisztor jellemzők
Standard
- U(DSS)
60 V
- Csatornák
1
- Tartalom
1 db
Dokumentumok és letöltések
Kezelési- és biztonsági utasítások
Kezelési- és biztonsági utasítások 1263060 MOSFET ON Semiconductor BS170_D27Z 1 N csatornás 830 mW TO-92-3