Hasonló kivitel
Hasonló kivitel
ON Semiconductor Tranzisztor (BJT) - diszkrét BD810G TO-220AB Csatornák 1 PNP
EAN:
Gyártól szám:
Rendelési szám:
Termék típus
Tranzisztor (BJT) - diszkrét
Ház
TO-220AB
Kivitel
PNP
Kollektor áram I(C)
-10 A
Kollektor-emiter feszültség U(CEO)
-80 V
Adatlap (PDF)
182 db
Mennyiség (db)
Megtakarítás
csomagolási ár (ÁFA nélkül)
2
-
327Ft
6
7% = 23Ft
304Ft
10
10% = 34Ft
293Ft
20
12% = 40Ft
287Ft
40
15% = 49Ft
278Ft
80
18% = 58Ft
269Ft
A mennyiségi kedvezmények az eladótól függően változhatnak
Az Ön megtakarítása 0Ft
Szám
Min.: 2
Összesen (327Ft / Darab)
654Ft
ÁFA nélkül
14 napos visszavételi garancia
Műszaki adatok
- Gyártói szám
BD810G
- Termék típus
Tranzisztor (BJT) - diszkrét
- Ház
TO-220AB
- Gyártó
ON Semiconductor
- Gyártó
OnS
- Csatornák
1
- Kivitel
PNP
- Kollektor áram I(C)
-10 A
- Kollektor-emiter feszültség U(CEO)
-80 V
- VCE telítettség (max.)
-1.1 V
- Kollektor maradékáram I(CES)
-1 mA
- Teljesítmény (max.) P(TOT)
90 W
- DC áramerősítés (hFE)
15
- DC áramerősítés hFE - referenciaáram
-4 A
- DC áramerősítés hFE - referenciafeszültség
-2 V
- Tranzit frekvencia f(T)
1.5 MHz
- Szerelési mód
Átvezető lyuk
- Tartalom
1 db
- Kivitel
PNP
- Típus
BD 810
- Ház típus
TO 220 AB
Dokumentumok és letöltések
Adatlap
Adatlap 156418 ON Semiconductor Tranzisztor (BJT) - diszkrét BD810G TO-220AB Csatornák 1 PNP
Kezelési- és biztonsági utasítások
Kezelési- és biztonsági utasítások 156418 ON Semiconductor Tranzisztor (BJT) - diszkrét BD810G TO-220AB Csatornák 1 PNP
Leírás
Gyártó: SIE=INF,HAR=FSC,MOT=ONS.