Hasonló kivitel
Hasonló kivitel
ON Semiconductor Tranzisztor (BJT) - diszkrét MJE13007G TO-220AB Csatornák 1 NPN
EAN:
Gyártól szám:
Rendelési szám:
Termék típus
Tranzisztor (BJT) - diszkrét
Ház
TO-220AB
Kivitel
NPN
Kollektor áram I(C)
8 A
Kollektor-emiter feszültség U(CEO)
400 V
6 db
Mennyiség (db)
Megtakarítás
csomagolási ár (ÁFA nélkül)
3
-
768Ft
9
7% = 55Ft
713Ft
15
10% = 79Ft
689Ft
30
13% = 96Ft
672Ft
60
15% = 114Ft
654Ft
120
18% = 135Ft
633Ft
300
21% = 158Ft
610Ft
A mennyiségi kedvezmények az eladótól függően változhatnak
Az Ön megtakarítása 0Ft
Szám
Min.: 3
Összesen (768Ft / Darab)
2304Ft
ÁFA nélkül
Már csak 6 db érhető el
Műszaki adatok
- Gyártói szám
MJE13007G
- Termék típus
Tranzisztor (BJT) - diszkrét
- Ház
TO-220AB
- Gyártó
ON Semiconductor
- Gyártó
OnS
- Csatornák
1
- Kivitel
NPN
- Kollektor áram I(C)
8 A
- Kollektor-emiter feszültség U(CEO)
400 V
- VCE telítettség (max.)
3 V
- Kollektor maradékáram I(CES)
100 µA
- Teljesítmény (max.) P(TOT)
80 W
- Sorozat
SWITCHMODE™
- DC áramerősítés (hFE)
5
- DC áramerősítés hFE - referenciaáram
5 A
- DC áramerősítés hFE - referenciafeszültség
5 V
- Tranzit frekvencia f(T)
14 MHz
- Szerelési mód
Átvezető lyuk
- Tartalom
1 db
- Kivitel
NPN
Dokumentumok és letöltések
Kezelési- és biztonsági utasítások
Kezelési- és biztonsági utasítások 151208 ON Semiconductor Tranzisztor (BJT) - diszkrét MJE13007G TO-220AB Csatornák 1 NPN