Hasonló kivitel
Hasonló kivitel
ON Semiconductor Tranzisztor (BJT) - diszkrét MJE18004G TO-220AB Csatornák 1 NPN
EAN:
Gyártól szám:
Rendelési szám:
Termék típus
Tranzisztor (BJT) - diszkrét
Ház
TO-220AB
Kivitel
NPN
Kollektor áram I(C)
5 A
Kollektor-emiter feszültség U(CEO)
450 V
Adatlap (PDF)
54 db
Mennyiség (db)
Megtakarítás
csomagolási ár (ÁFA nélkül)
1
-
602Ft
10
7% = 42Ft
560Ft
25
10% = 62Ft
540Ft
50
12% = 74Ft
528Ft
100
15% = 89Ft
513Ft
500
17% = 105Ft
497Ft
1000
20% = 123Ft
479Ft
A mennyiségi kedvezmények az eladótól függően változhatnak
Az Ön megtakarítása 0Ft
Szám
Összesen (602Ft / Darab)
602Ft
ÁFA nélkül
14 napos visszavételi garancia
Műszaki adatok
- Gyártói szám
MJE18004G
- Termék típus
Tranzisztor (BJT) - diszkrét
- Ház
TO-220AB
- Gyártó
ON Semiconductor
- Gyártó
OnS
- Csatornák
1
- Kivitel
NPN
- Kollektor áram I(C)
5 A
- Kollektor-emiter feszültség U(CEO)
450 V
- VCE telítettség (max.)
750 mV
- Kollektor maradékáram I(CES)
100 µA
- Teljesítmény (max.) P(TOT)
75 W
- Sorozat
SWITCHMODE™
- DC áramerősítés (hFE)
14
- DC áramerősítés hFE - referenciaáram
300 mA
- DC áramerősítés hFE - referenciafeszültség
5 V
- Tranzit frekvencia f(T)
13 MHz
- Szerelési mód
Átvezető lyuk
- Tartalom
1 db
- Kivitel
NPN
Dokumentumok és letöltések
Adatlap
Adatlap 151029 ON Semiconductor Tranzisztor (BJT) - diszkrét MJE18004G TO-220AB Csatornák 1 NPN
Kezelési- és biztonsági utasítások
Kezelési- és biztonsági utasítások 151029 ON Semiconductor Tranzisztor (BJT) - diszkrét MJE18004G TO-220AB Csatornák 1 NPN