Hasonló kivitel
Hasonló kivitel
Tranzisztor, unipoláris (MOSFET) International Rectifier IRLB3813PBF N csatornás TO 220 AB I D (A) 260 A U(DS) 30 V
EAN:
Gyártól szám:
Rendelési szám:
Termék típus
MOSFET
Ház
TO-220AB
Kivitel
N csatornás
Teljesítmény (max.) P(TOT)
230 W
R(DS)(on)
1.95 mΩ
Adatlap (PDF)
69 db
Mennyiség (db)
Megtakarítás
csomagolási ár (ÁFA nélkül)
1
-
937Ft
10
7% = 66Ft
871Ft
25
10% = 96Ft
841Ft
50
12% = 117Ft
820Ft
100
15% = 139Ft
798Ft
500
18% = 164Ft
773Ft
1000
20% = 192Ft
745Ft
A mennyiségi kedvezmények az eladótól függően változhatnak
Az Ön megtakarítása 0Ft
Szám
Összesen (937Ft / Darab)
937Ft
ÁFA nélkül
14 napos visszavételi garancia
Főbb jellemzők
Tranzisztor, unipoláris (MOSFET)
Szolgáltatásunk az Ön számára
Műszaki adatok
- Gyártói szám
IRLB3813PBF
- Termék típus
MOSFET
- Ház
TO-220AB
- Gyártó
Infineon Technologies
- Gyártó
INF
- Kivitel
N csatornás
- I(d)
260 A
- UBR DSS
30 V
- Teljesítmény (max.) P(TOT)
230 W
- R(DS)(on)
1.95 mΩ
- Referencia áram R(DS)(on)
60 A
- Referencia feszültség R(DS)(on)
10 V
- U(GS)(th) max.
2.35 V
- Referencia áram max. U(GS)(th)
150 µA
- Q(G)
86 nC
- Referencia feszültség Q(G)
4.5 V
- C(ISS)
8420 pF
- Referencia feszültség C(ISS)
15 V
- Üzemi hőmérséklet (min.)
-55 °C
- Szerelési mód
Átvezető lyuk
- Sorozat
HEXFET®
- Üzemi hőmérséklet (max.)
+175 °C
- Tranzisztor jellemzők
Standard
- U(DSS)
30 V
- Csatornák
1
- Tartalom
1 db
- Kivitel
N csatornás
- Típus
IRLB3813PBF
- Ház típus
TO 220 AB
Dokumentumok és letöltések
Adatlap
Adatlap 161164 Tranzisztor, unipoláris (MOSFET) International Rectifier IRLB3813PBF N csatornás TO 220 AB I D (A) 260 A U(DS) 30 V
Kezelési- és biztonsági utasítások
Kezelési- és biztonsági utasítások 161164 Tranzisztor, unipoláris (MOSFET) International Rectifier IRLB3813PBF N csatornás TO 220 AB I D (A) 260 A U(DS) 30 V