Hasonló kivitel
Hasonló kivitel
Tranzisztor, unipoláris (MOSFET) International Rectifier IRLB4030PBF N csatornás TO 220 AB I D (A) 180 A U(DS) 100 V
EAN:
Gyártól szám:
Rendelési szám:
Termék típus
MOSFET
Ház
TO-220AB
Kivitel
N csatornás
Teljesítmény (max.) P(TOT)
370 W
R(DS)(on)
4.3 mΩ
Adatlap (PDF)
293 db
Mennyiség (db)
Megtakarítás
csomagolási ár (ÁFA nélkül)
1
-
1646Ft
10
7% = 123Ft
1523Ft
25
11% = 173Ft
1473Ft
50
13% = 206Ft
1440Ft
100
15% = 242Ft
1404Ft
250
17% = 284Ft
1362Ft
500
21% = 338Ft
1308Ft
A mennyiségi kedvezmények az eladótól függően változhatnak
Az Ön megtakarítása 0Ft
Szám
Összesen (1646Ft / Darab)
1646Ft
ÁFA nélkül
14 napos visszavételi garancia
Főbb jellemzők
Tranzisztor, unipoláris (MOSFET)
Szolgáltatásunk az Ön számára
Műszaki adatok
- Gyártói szám
IRLB4030PBF
- Termék típus
MOSFET
- Ház
TO-220AB
- Gyártó
Infineon Technologies
- Gyártó
INF
- Kivitel
N csatornás
- I(d)
180 A
- UBR DSS
100 V
- Teljesítmény (max.) P(TOT)
370 W
- R(DS)(on)
4.3 mΩ
- Referencia áram R(DS)(on)
110 A
- Referencia feszültség R(DS)(on)
10 V
- U(GS)(th) max.
2.5 V
- Referencia áram max. U(GS)(th)
250 µA
- Q(G)
130 nC
- Referencia feszültség Q(G)
4.5 V
- C(ISS)
11360 pF
- Referencia feszültség C(ISS)
50 V
- Üzemi hőmérséklet (min.)
-55 °C
- Szerelési mód
Átvezető lyuk
- Sorozat
HEXFET®
- Üzemi hőmérséklet (max.)
+175 °C
- Tranzisztor jellemzők
Logikai szint kapu
- U(DSS)
100 V
- Csatornák
1
- Tartalom
1 db
- Kivitel
N csatornás
- Típus
IRLB4030PBF
- Ház típus
TO 220 AB
Dokumentumok és letöltések
Adatlap
Adatlap 161165 Tranzisztor, unipoláris (MOSFET) International Rectifier IRLB4030PBF N csatornás TO 220 AB I D (A) 180 A U(DS) 100 V
Kezelési- és biztonsági utasítások
Kezelési- és biztonsági utasítások 161165 Tranzisztor, unipoláris (MOSFET) International Rectifier IRLB4030PBF N csatornás TO 220 AB I D (A) 180 A U(DS) 100 V