Hasonló kivitel
Hasonló kivitel
Triak, TO-220AB, I(GT) min. 10 mA, I(T) RMS 4 A, U(DRM) 800 V, NXP Semiconductors BT136-800E
EAN:
Gyártól szám:
Rendelési szám:
Termék típus
Tirisztor (SCR) - TRIAK
Ház
TO-220AB
U(DRM)
800 V
I(T)(RMS)
4 A
I(H)
15 mA
Adatlap (PDF)
209 db
Mennyiség (db)
Megtakarítás
csomagolási ár (ÁFA nélkül)
2
-
492Ft
6
7% = 35Ft
457Ft
10
10% = 50Ft
442Ft
20
12% = 61Ft
431Ft
40
15% = 73Ft
419Ft
A mennyiségi kedvezmények az eladótól függően változhatnak
Az Ön megtakarítása 0Ft
Szám
Min.: 2
Összesen (492Ft / Darab)
984Ft
ÁFA nélkül
14 napos visszavételi garancia
Műszaki adatok
- Gyártói szám
BT136-800E,127
- Termék típus
Tirisztor (SCR) - TRIAK
- Ház
TO-220AB
- Gyártó
NXP Semiconductors
- Gyártó
NXP
- U(DRM)
800 V
- Gyújtási feszültség U(GT)
1.5 V
- Gyújtási áram I(GT)
10 mA
- I(T)(RMS)
4 A
- I(H)
15 mA
- I(TSM 50 Hz)
25 A
- I(TSM 60 Hz)
27 A
- di(T)/dt
50 A/µs
- Üzemi hőmérséklet (max.)
+125 °C
- Szerelési mód
Átvezető lyuk
- Tartalom
1 db
- Típus
BT136-800E
- Ház típus
TO 220 AB
Dokumentumok és letöltések
Adatlap
Adatlap 151644 Triak, TO-220AB, I(GT) min. 10 mA, I(T) RMS 4 A, U(DRM) 800 V, NXP Semiconductors BT136-800E
Kezelési- és biztonsági utasítások
Kezelési- és biztonsági utasítások 151644 Triak, TO-220AB, I(GT) min. 10 mA, I(T) RMS 4 A, U(DRM) 800 V, NXP Semiconductors BT136-800E
Leírás
Symistor.