Infineon Technologies IRF1018ESPBF-GURT MOSFET 1 N csatornás 110 W D2PAK
EAN:
Gyártól szám:
Rendelési szám:
Termék típus
MOSFET
Ház
D2PAK
Kivitel
N csatornás
Teljesítmény (max.) P(TOT)
110 W
R(DS)(on)
0.0084 Ω
Adatlap (PDF)
10 db
Mennyiség (db)
Megtakarítás
csomagolási ár (ÁFA nélkül)
10
-
437Ft
30
7% = 31Ft
406Ft
50
10% = 45Ft
392Ft
100
12% = 54Ft
383Ft
200
15% = 65Ft
372Ft
400
17% = 76Ft
361Ft
1000
21% = 90Ft
347Ft
A mennyiségi kedvezmények az eladótól függően változhatnak
Az Ön megtakarítása 0Ft
Szám
Min.: 10
Összesen (437Ft / Darab)
4370Ft
ÁFA nélkül
Már csak 10 db érhető el
Főbb jellemzők
MOSFET
Szolgáltatásunk az Ön számára
Műszaki adatok
- Gyártói szám
IRF1018ESPBF-GURT
- Termék típus
MOSFET
- Ház
D2PAK
- Gyártó
Infineon Technologies
- Kivitel
N csatornás
- I(d)
79 A
- UBR DSS
60 V
- Teljesítmény (max.) P(TOT)
110 W
- R(DS)(on)
0.0084 Ω
- Szerelési mód
Felületi szerelés
- Csatornák
1
- Tartalom
1 db
Dokumentumok és letöltések
Adatlap
Adatlap 3026220 Infineon Technologies IRF1018ESPBF-GURT MOSFET 1 N csatornás 110 W D2PAK
Kezelési- és biztonsági utasítások
Kezelési- és biztonsági utasítások 3026220 Infineon Technologies IRF1018ESPBF-GURT MOSFET 1 N csatornás 110 W D2PAK