Infineon Technologies IRF7343PBF-GURT MOSFET 2 N csatornás, P csatornás 2.0 W SO-8
EAN:
Gyártól szám:
Rendelési szám:
Termék típus
MOSFET
Ház
SO-8
Kivitel
N csatornás
P csatornás
Teljesítmény (max.) P(TOT)
2.0 W
R(DS)(on)
0.17 Ω
Adatlap (PDF)
7 db
Szám
Min.: 3
Többszörös: 1
Összesen (255Ft / Darab)
765Ft
ÁFÁ-val
Már csak 7 db érhető el
14 napos visszavételi garancia
Főbb jellemzők
MOSFET
Szolgáltatásunk az Ön számára
Műszaki adatok
- Gyártói szám
IRF7343PBF-GURT
- Termék típus
MOSFET
- Ház
SO-8
- Gyártó
Infineon Technologies
- Kivitel
N csatornás
P csatornás
- I(d)
4.7 A
- UBR DSS
55 V
- Teljesítmény (max.) P(TOT)
2.0 W
- R(DS)(on)
0.17 Ω
- Szerelési mód
Felületi szerelés
- Csatornák
2
- Tartalom
1 db
- UKCA
Igen
Dokumentumok és letöltések
Adatlap
Adatlap 3026247 Infineon Technologies IRF7343PBF-GURT MOSFET 2 N csatornás, P csatornás 2.0 W SO-8
Kezelési- és biztonsági utasítások
Kezelési- és biztonsági utasítások 3026247 Infineon Technologies IRF7343PBF-GURT MOSFET 2 N csatornás, P csatornás 2.0 W SO-8
Milyen típusú MOSFET-ek terméket keres?
Tartozékok
(*Az árak nem tartalmazzák az ÁFA-t.)A szükséges tartozék nélkülözhetetlen a termék leírás szerinti használatához.
További érdekes termékek
(*Az árak nem tartalmazzák az ÁFA-t.)
Conrad Electronic
245Ft*
