Vishay SI4100DY-T1-GE3 MOSFET 1 N csatornás 6 W SOIC-8 Tape on Full reel
EAN:
Gyártól szám:
Rendelési szám:
Csomagolás
Tape on Full reel
Termék típus
MOSFET
Ház
SOIC-8
Kivitel
N csatornás
Teljesítmény (max.) P(TOT)
6 W
Adatlap (PDF)
Mennyiség (db)
Megtakarítás
csomagolási ár (ÁFA nélkül)
50
-
437Ft
150
7% = 31Ft
406Ft
250
10% = 45Ft
392Ft
500
12% = 54Ft
383Ft
1000
15% = 65Ft
372Ft
2000
17% = 76Ft
361Ft
5000
21% = 90Ft
347Ft
A mennyiségi kedvezmények az eladótól függően változhatnak
Az Ön megtakarítása 0Ft
Szám
Min.: 50
Többszörös: 50
Tape on Full reel
db (Tartalom: )
db (Tartalom: )
Összesen (437Ft / Darab)
21 850 Ft
ÁFA nélkül
Főbb jellemzők
MOSFET
Szolgáltatásunk az Ön számára
Műszaki adatok
- Csomagolás
Tape on Full reel
- Gyártói szám
SI4100DY-T1-GE3
- Termék típus
MOSFET
- Ház
SOIC-8
- Gyártó
Vishay
- Kivitel
N csatornás
- I(d)
6.8 A
- UBR DSS
100 V
- Teljesítmény (max.) P(TOT)
6 W
- R(DS)(on)
0.084 Ω
- Üzemi hőmérséklet (min.)
-55 °C
- Szerelési mód
Felületi szerelés
- Üzemi hőmérséklet (max.)
150 °C
- Csatornák
1
- Tartalom
1 db
- Magasság
0.00 mm
- Hossz
0 mm
- Szélesség
0.00 mm
- Súly
0
Dokumentumok és letöltések
Adatlap
Adatlap 3026533 Vishay SI4100DY-T1-GE3 MOSFET 1 N csatornás 6 W SOIC-8 Tape on Full reel
Kezelési- és biztonsági utasítások
Kezelési- és biztonsági utasítások 3026533 Vishay SI4100DY-T1-GE3 MOSFET 1 N csatornás 6 W SOIC-8 Tape on Full reel