Vishay SI4447ADY-T1-GE3 MOSFET 1 P csatornás 4.2 W SOIC-8 Tape on Full reel
EAN:
Gyártól szám:
Rendelési szám:
Csomagolás
Tape on Full reel
Termék típus
MOSFET
Ház
SOIC-8
Kivitel
P csatornás
Teljesítmény (max.) P(TOT)
4.2 W
Adatlap (PDF)
1100 db
Szám
Min.: 50
Többszörös: 50
Tape on Full reel
db (Tartalom: )
db (Tartalom: )
Összesen (265Ft / Darab)
13 250 Ft
ÁFÁ-val
14 napos visszavételi garancia
Főbb jellemzők
MOSFET
Szolgáltatásunk az Ön számára
Műszaki adatok
- Csomagolás
Tape on Full reel
- Gyártói szám
SI4447ADY-T1-GE3
- Termék típus
MOSFET
- Ház
SOIC-8
- Gyártó
Vishay
- Kivitel
P csatornás
- I(d)
-7.2 A
- UBR DSS
-40 V
- Teljesítmény (max.) P(TOT)
4.2 W
- R(DS)(on)
0.062 Ω
- Üzemi hőmérséklet (min.)
-55 °C
- Szerelési mód
Felületi szerelés
- Üzemi hőmérséklet (max.)
150 °C
- Csatornák
1
- Tartalom
1 db
- Magasság
0.00 mm
- Hossz
0 mm
- Szélesség
0.00 mm
- Súly
0
- UKCA
Igen
Dokumentumok és letöltések
Adatlap
Adatlap 3026543 Vishay SI4447ADY-T1-GE3 MOSFET 1 P csatornás 4.2 W SOIC-8 Tape on Full reel
Kezelési- és biztonsági utasítások
Kezelési- és biztonsági utasítások 3026543 Vishay SI4447ADY-T1-GE3 MOSFET 1 P csatornás 4.2 W SOIC-8 Tape on Full reel
Milyen típusú MOSFET-ek terméket keres?
Tartozékok
(*Az árak nem tartalmazzák az ÁFA-t.)A szükséges tartozék nélkülözhetetlen a termék leírás szerinti használatához.
További érdekes termékek
(*Az árak nem tartalmazzák az ÁFA-t.)
Conrad Electronic
245Ft*
