Infineon Technologies IRL2910SPBF-GURT MOSFET 1 N csatornás 200 W D2PAK
EAN:
Gyártól szám:
Rendelési szám:
Termék típus
MOSFET
Ház
D2PAK
Kivitel
N csatornás
Teljesítmény (max.) P(TOT)
200 W
R(DS)(on)
0.04 Ω
Adatlap (PDF)
1900 db
Mennyiség (db)
Megtakarítás
csomagolási ár (ÁFA nélkül)
10
-
673Ft
30
7% = 47Ft
626Ft
50
10% = 69Ft
604Ft
100
12% = 83Ft
590Ft
200
15% = 100Ft
573Ft
400
18% = 118Ft
555Ft
A mennyiségi kedvezmények az eladótól függően változhatnak
Az Ön megtakarítása 0Ft
Szám
Min.: 10
Többszörös: 10
Összesen (673Ft / Darab)
6730Ft
ÁFA nélkül
Főbb jellemzők
MOSFET
Szolgáltatásunk az Ön számára
Műszaki adatok
- Gyártói szám
IRL2910SPBF-GURT
- Termék típus
MOSFET
- Ház
D2PAK
- Gyártó
Infineon Technologies
- Kivitel
N csatornás
- I(d)
55 A
- UBR DSS
100 V
- Teljesítmény (max.) P(TOT)
200 W
- R(DS)(on)
0.04 Ω
- Szerelési mód
Felületi szerelés
- Csatornák
1
- Tartalom
1 db
Dokumentumok és letöltések
Adatlap
Adatlap 3026424 Infineon Technologies IRL2910SPBF-GURT MOSFET 1 N csatornás 200 W D2PAK
Kezelési- és biztonsági utasítások
Kezelési- és biztonsági utasítások 3026424 Infineon Technologies IRL2910SPBF-GURT MOSFET 1 N csatornás 200 W D2PAK