
Hasonló kivitel
IRF3710SPBF
MOSFET
D2PAK
Infineon Technologies
INF
N csatornás
57 A
100 V
200 W
23 mΩ
28 A
10 V
4 V
250 µA
130 nC
10 V
3130 pF
25 V
-55 °C
Felületi szerelés
HEXFET®
+175 °C
Standard
100 V
1
1 db
N csatornás
IRF3710S
100 V/57 A
D2PAK
Adatlap 162398 MOSFET (HEXFET/FETKY), N csatornás, ház típus:D2PAK, I(D) 57 A, U(DS) 100 V, International Rectifier IRF3710S
Kezelési- és biztonsági utasítások 162398 MOSFET (HEXFET/FETKY), N csatornás, ház típus:D2PAK, I(D) 57 A, U(DS) 100 V, International Rectifier IRF3710S
4780Ft*
A szükséges tartozék nélkülözhetetlen a termék leírás szerinti használatához.