
Hasonló kivitel
IRF3710Z
MOSFET
TO-263-3
Infineon Technologies
INF
N csatornás
59 A
100 V
160 W
18 mΩ
35 A
10 V
4 V
250 µA
120 nC
10 V
2900 pF
25 V
-55 °C
Felületi szerelés
HEXFET®
+175 °C
Standard
100 V
1
1 db
N csatornás
IRF3710Z
100 V/59 A
TO 220 AB
Adatlap 164339 MOSFET (HEXFET/FETKY), N csatornás, ház típus: TO-220AB, I(D) 59 A, U(DS) 100 V, International Rectifier IRF3710Z
Kezelési- és biztonsági utasítások 164339 MOSFET (HEXFET/FETKY), N csatornás, ház típus: TO-220AB, I(D) 59 A, U(DS) 100 V, International Rectifier IRF3710Z
4680Ft*
A szükséges tartozék nélkülözhetetlen a termék leírás szerinti használatához.