Hasonló kivitel
Hasonló kivitel
ON Semiconductor Tranzisztor (BJT) - diszkrét MJ11016G TO-3 Csatornák 1 NPN - Darlington
EAN:
Gyártól szám:
Rendelési szám:
Termék típus
Tranzisztor (BJT) - diszkrét
Ház
TO-3
Kivitel
NPN - Darlington
Kollektor áram I(C)
30 A
Kollektor-emiter feszültség U(CEO)
120 V
Adatlap (PDF)
104 db
Mennyiség (db)
Megtakarítás
csomagolási ár (ÁFA nélkül)
1
-
4087Ft
3
6% = 235Ft
3852Ft
5
8% = 329Ft
3758Ft
10
10% = 392Ft
3695Ft
25
11% = 454Ft
3633Ft
50
13% = 541Ft
3546Ft
A mennyiségi kedvezmények az eladótól függően változhatnak
Az Ön megtakarítása 0Ft
Szám
Összesen (4087Ft / Darab)
4087Ft
ÁFA nélkül
Műszaki adatok
- Gyártói szám
MJ11016G
- Termék típus
Tranzisztor (BJT) - diszkrét
- Ház
TO-3
- Gyártó
ON Semiconductor
- Gyártó
OnS
- Csatornák
1
- Kivitel
NPN - Darlington
- Kollektor áram I(C)
30 A
- Kollektor-emiter feszültség U(CEO)
120 V
- VCE telítettség (max.)
4 V
- Kollektor maradékáram I(CES)
1 mA
- Teljesítmény (max.) P(TOT)
200 W
- DC áramerősítés (hFE)
1000
- DC áramerősítés hFE - referenciaáram
20 A
- DC áramerősítés hFE - referenciafeszültség
5 V
- Tranzit frekvencia f(T)
4 MHz
- Szerelési mód
Átvezető lyuk
- Tartalom
1 db
- Kivitel
NPN
Dokumentumok és letöltések
Adatlap
Adatlap 151307 ON Semiconductor Tranzisztor (BJT) - diszkrét MJ11016G TO-3 Csatornák 1 NPN - Darlington
Kezelési- és biztonsági utasítások
Kezelési- és biztonsági utasítások 151307 ON Semiconductor Tranzisztor (BJT) - diszkrét MJ11016G TO-3 Csatornák 1 NPN - Darlington