Hasonló kivitel
Tranzisztor HEXFET IRF5210 TO-220 IR
EAN:
Gyártól szám:
Rendelési szám:
Termék típus
MOSFET
Ház
TO-220
Kivitel
P csatornás
Teljesítmény (max.) P(TOT)
200 W
R(DS)(on)
60 mΩ
Adatlap (PDF)
176 db
Szám
Összesen (1290Ft / Darab)
1290Ft
ÁFÁ-val
14 napos visszavételi garancia
Főbb jellemzők
Power MOSFET, P csatornás
Szolgáltatásunk az Ön számára
Műszaki adatok
- Gyártói szám
IRF5210PBF
- Termék típus
MOSFET
- Ház
TO-220
- Gyártó
Infineon Technologies
- Gyártó
INF
- Kivitel
P csatornás
- I(d)
40 A
- UBR DSS
100 V
- Teljesítmény (max.) P(TOT)
200 W
- R(DS)(on)
60 mΩ
- Referencia áram R(DS)(on)
24 A
- Referencia feszültség R(DS)(on)
10 V
- U(GS)(th) max.
4 V
- Referencia áram max. U(GS)(th)
250 µA
- Q(G)
180 nC
- Referencia feszültség Q(G)
10 V
- C(ISS)
2700 pF
- Referencia feszültség C(ISS)
25 V
- Üzemi hőmérséklet (min.)
-55 °C
- Szerelési mód
Átvezető lyuk
- Sorozat
HEXFET®
- Üzemi hőmérséklet (max.)
+175 °C
- Tranzisztor jellemzők
Standard
- U(DSS)
100 V
- Csatornák
1
- Tartalom
1 db
- Kivitel
P csatornás
- Típus
IRF 5210
- Leírás
-100 V/-35 A
- Ház típus
TO 220
Dokumentumok és letöltések
Adatlap
Adatlap 162406 Tranzisztor HEXFET IRF5210 TO-220 IR
Kezelési- és biztonsági utasítások
Kezelési- és biztonsági utasítások 162406 Tranzisztor HEXFET IRF5210 TO-220 IR
A termék korábbi vásárlói ezeket is megrendelték
(*Az árak nem tartalmazzák az ÁFA-t.)Összesen:
2615Ft*
Milyen típusú MOSFET-ek terméket keres?
Tartozékok
(*Az árak nem tartalmazzák az ÁFA-t.)A szükséges tartozék nélkülözhetetlen a termék leírás szerinti használatához.
További érdekes termékek
(*Az árak nem tartalmazzák az ÁFA-t.)
Conrad Electronic
245Ft*
