Hasonló kivitel
Hasonló kivitel
Tranzisztor NXP Semiconductors BST52,115 SOT-89
EAN:
Gyártól szám:
Rendelési szám:
Termék típus
Tranzisztor (BJT) - diszkrét
Ház
SOT-89-3
Kivitel
NPN - Darlington
Kollektor áram I(C)
1 A
Kollektor-emiter feszültség U(CEO)
80 V
Adatlap (PDF)
Mennyiség (db)
Megtakarítás
csomagolási ár (ÁFA nélkül)
100
-
500Ft
300
7% = 35Ft
465Ft
500
10% = 51Ft
449Ft
1000
12% = 62Ft
438Ft
2000
15% = 74Ft
426Ft
4000
17% = 87Ft
413Ft
10000
20% = 102Ft
398Ft
A mennyiségi kedvezmények az eladótól függően változhatnak
Az Ön megtakarítása 0Ft
Szám
Min.: 100
Többszörös: 100
Összesen (500Ft / Darab)
50 000 Ft
ÁFA nélkül
Műszaki adatok
- Gyártói szám
BST52,115
- Termék típus
Tranzisztor (BJT) - diszkrét
- Ház
SOT-89-3
- Gyártó
Nexperia
- Gyártó
NEX
- Csatornák
1
- Kivitel
NPN - Darlington
- Kollektor áram I(C)
1 A
- Kollektor-emiter feszültség U(CEO)
80 V
- VCE telítettség (max.)
1.3 V
- Kollektor maradékáram I(CES)
50 nA
- Teljesítmény (max.) P(TOT)
1.3 W
- DC áramerősítés (hFE)
2000
- DC áramerősítés hFE - referenciaáram
500 mA
- DC áramerősítés hFE - referenciafeszültség
10 V
- Tranzit frekvencia f(T)
200 MHz
- Szerelési mód
Felületi szerelés
- Tartalom
1 db
- Típus
BST52,115
- Ház típus
SOT 89
Dokumentumok és letöltések
Adatlap
Adatlap 1113277 Tranzisztor NXP Semiconductors BST52,115 SOT-89