Vishay SI4477DY-T1-GE3 MOSFET 1 P csatornás 6.6 W SOIC-8 Tape on Full reel
EAN:
Gyártól szám:
Rendelési szám:
Csomagolás
Tape on Full reel
Termék típus
MOSFET
Ház
SOIC-8
Kivitel
P csatornás
Teljesítmény (max.) P(TOT)
6.6 W
Adatlap (PDF)
2200 db
Mennyiség (db)
Megtakarítás
csomagolási ár (ÁFA nélkül)
25
-
602Ft
75
7% = 42Ft
560Ft
125
10% = 62Ft
540Ft
250
12% = 74Ft
528Ft
500
15% = 89Ft
513Ft
1000
17% = 105Ft
497Ft
2500
20% = 123Ft
479Ft
A mennyiségi kedvezmények az eladótól függően változhatnak
Az Ön megtakarítása 0Ft
Szám
Min.: 25
Többszörös: 25
Tape on Full reel
db (Tartalom: )
db (Tartalom: )
Összesen (602Ft / Darab)
15 050 Ft
ÁFA nélkül
Főbb jellemzők
MOSFET
Szolgáltatásunk az Ön számára
Műszaki adatok
- Csomagolás
Tape on Full reel
- Gyártói szám
SI4477DY-T1-GE3
- Termék típus
MOSFET
- Ház
SOIC-8
- Gyártó
Vishay
- Kivitel
P csatornás
- I(d)
-26.6 A
- UBR DSS
-20 V
- Teljesítmény (max.) P(TOT)
6.6 W
- R(DS)(on)
0.0105 Ω
- Üzemi hőmérséklet (min.)
-55 °C
- Szerelési mód
Felületi szerelés
- Üzemi hőmérséklet (max.)
150 °C
- Csatornák
1
- Tartalom
1 db
- Magasság
0.00 mm
- Hossz
0 mm
- Szélesség
0.00 mm
- Súly
0
Dokumentumok és letöltések
Adatlap
Adatlap 3026545 Vishay SI4477DY-T1-GE3 MOSFET 1 P csatornás 6.6 W SOIC-8 Tape on Full reel
Kezelési- és biztonsági utasítások
Kezelési- és biztonsági utasítások 3026545 Vishay SI4477DY-T1-GE3 MOSFET 1 P csatornás 6.6 W SOIC-8 Tape on Full reel