Hasonló kivitel
Hasonló kivitel
Infineon Technologies IRF3205 MOSFET 1 N csatornás 200 W TO-220AB
EAN:
Gyártól szám:
Rendelési szám:
Termék típus
MOSFET
Ház
TO-220AB
Kivitel
N csatornás
Teljesítmény (max.) P(TOT)
200 W
R(DS)(on)
8 mΩ
Adatlap (PDF)
232 db
Mennyiség (db)
Megtakarítás
csomagolási ár (ÁFA nélkül)
1
-
937Ft
10
7% = 66Ft
871Ft
25
10% = 96Ft
841Ft
50
12% = 117Ft
820Ft
100
15% = 139Ft
798Ft
500
18% = 164Ft
773Ft
1000
20% = 192Ft
745Ft
A mennyiségi kedvezmények az eladótól függően változhatnak
Az Ön megtakarítása 0Ft
Szám
Összesen (937Ft / Darab)
937Ft
ÁFA nélkül
Főbb jellemzők
Tranzisztor IRF 3205 TO220 IR
Szolgáltatásunk az Ön számára
Műszaki adatok
- Gyártói szám
IRF3205
- Termék típus
MOSFET
- Ház
TO-220AB
- Gyártó
Infineon Technologies
- Gyártó
INF
- Kivitel
N csatornás
- I(d)
110 A
- UBR DSS
55 V
- Teljesítmény (max.) P(TOT)
200 W
- R(DS)(on)
8 mΩ
- Referencia áram R(DS)(on)
62 A
- Referencia feszültség R(DS)(on)
10 V
- U(GS)(th) max.
4 V
- Referencia áram max. U(GS)(th)
250 µA
- Q(G)
146 nC
- Referencia feszültség Q(G)
10 V
- C(ISS)
3247 pF
- Referencia feszültség C(ISS)
25 V
- Üzemi hőmérséklet (min.)
-55 °C
- Szerelési mód
Felületi szerelés
- Sorozat
HEXFET®
- Üzemi hőmérséklet (max.)
+175 °C
- Tranzisztor jellemzők
Standard
- U(DSS)
55 V
- Csatornák
1
- Tartalom
1 db
- Kivitel
N-csatorna
Dokumentumok és letöltések
Adatlap
Adatlap 158712 Infineon Technologies IRF3205 MOSFET 1 N csatornás 200 W TO-220AB
Kezelési- és biztonsági utasítások
Kezelési- és biztonsági utasítások 158712 Infineon Technologies IRF3205 MOSFET 1 N csatornás 200 W TO-220AB
Leírás
Egy MOSFET tranzisztor egy feszültségvezérelt építőelem és közvetlenül nagy ellenállású forráshoz kapcsolható. Ez a tranzisztor µC-, TTL- és CMOS-kompatibilis. Figyelem: Gyártő SIE = INF, HAR = FSC, MOT = ONS.