Infineon Technologies IRF7105PBF-GURT MOSFET 2 N csatornás, P csatornás 2.0 W SO-8
EAN:
Gyártól szám:
Rendelési szám:
Termék típus
MOSFET
Ház
SO-8
Kivitel
N csatornás
P csatornás
Teljesítmény (max.) P(TOT)
2.0 W
R(DS)(on)
0.4 Ω
Adatlap (PDF)
6600 db
Mennyiség (db)
Megtakarítás
csomagolási ár (ÁFA nélkül)
50
-
193Ft
150
6% = 12Ft
181Ft
250
12% = 24Ft
169Ft
500
15% = 29Ft
164Ft
1000
18% = 35Ft
158Ft
2000
21% = 40Ft
153Ft
A mennyiségi kedvezmények az eladótól függően változhatnak
Az Ön megtakarítása 0Ft
Szám
Min.: 50
Többszörös: 50
Összesen (193Ft / Darab)
9650Ft
ÁFA nélkül
Főbb jellemzők
MOSFET
Szolgáltatásunk az Ön számára
Műszaki adatok
- Gyártói szám
IRF7105PBF-GURT
- Termék típus
MOSFET
- Ház
SO-8
- Gyártó
Infineon Technologies
- Kivitel
N csatornás
P csatornás
- I(d)
3.5 A
- UBR DSS
25 V
- Teljesítmény (max.) P(TOT)
2.0 W
- R(DS)(on)
0.4 Ω
- Szerelési mód
Felületi szerelés
- Csatornák
2
- Tartalom
1 db
- UKCA
Igen
Dokumentumok és letöltések
Adatlap
Adatlap 3026354 Infineon Technologies IRF7105PBF-GURT MOSFET 2 N csatornás, P csatornás 2.0 W SO-8
Kezelési- és biztonsági utasítások
Kezelési- és biztonsági utasítások 3026354 Infineon Technologies IRF7105PBF-GURT MOSFET 2 N csatornás, P csatornás 2.0 W SO-8