Vishay SI4532CDY-T1-GE3 MOSFET 2 N csatornás, P csatornás 1.78 W SOIC-8 Tape on Full reel
EAN:
Gyártól szám:
Rendelési szám:
Csomagolás
Tape on Full reel
Termék típus
MOSFET
Ház
SOIC-8
Kivitel
N csatornás
P csatornás
Teljesítmény (max.) P(TOT)
1.78 W
Adatlap (PDF)
Mennyiség (db)
Megtakarítás
csomagolási ár (ÁFA nélkül)
50
-
295Ft
150
7% = 20Ft
275Ft
250
10% = 30Ft
265Ft
500
13% = 37Ft
258Ft
1000
15% = 44Ft
251Ft
A mennyiségi kedvezmények az eladótól függően változhatnak
Az Ön megtakarítása 0Ft
Szám
Min.: 50
Többszörös: 50
Tape on Full reel
db (Tartalom: )
db (Tartalom: )
Összesen (295Ft / Darab)
14 750 Ft
ÁFA nélkül
Főbb jellemzők
MOSFET
Szolgáltatásunk az Ön számára
Műszaki adatok
- Csomagolás
Tape on Full reel
- Gyártói szám
SI4532CDY-T1-GE3
- Termék típus
MOSFET
- Ház
SOIC-8
- Gyártó
Vishay
- Kivitel
N csatornás
P csatornás
- I(d)
6 A
- UBR DSS
30 V
- Teljesítmény (max.) P(TOT)
1.78 W
- R(DS)(on)
0.14 Ω
- Üzemi hőmérséklet (min.)
-55 °C
- Szerelési mód
Felületi szerelés
- Üzemi hőmérséklet (max.)
150 °C
- Csatornák
2
- Tartalom
1 db
- Magasság
0.00 mm
- Hossz
0 mm
- Szélesség
0.00 mm
- Súly
0
- UKCA
Igen
Dokumentumok és letöltések
Adatlap
Adatlap 3026546 Vishay SI4532CDY-T1-GE3 MOSFET 2 N csatornás, P csatornás 1.78 W SOIC-8 Tape on Full reel
Kezelési- és biztonsági utasítások
Kezelési- és biztonsági utasítások 3026546 Vishay SI4532CDY-T1-GE3 MOSFET 2 N csatornás, P csatornás 1.78 W SOIC-8 Tape on Full reel