Hasonló kivitel
MOSFET 2N-KA SI4946BEY-T1-E3 SOIC-8 VIS
Termék típus
MOSFET
Ház
SOIC-8
Kivitel
N csatornás
Teljesítmény (max.) P(TOT)
3.7 W
R(DS)(on)
41 mΩ
Adatlap (PDF)
EAN:
Gyártól szám:
Rendelési szám:
Összesen (2190Ft / Darab)
2190Ft
ÁFÁ-val
14 napos visszavételi garancia
Főbb jellemzők
MOSFET
Szolgáltatásunk az Ön számára
Műszaki adatok
- Gyártói szám
SI4946BEY-T1-E3
- Termék típus
MOSFET
- Ház
SOIC-8
- Gyártó
Vishay
- Gyártó
VIS
- Kivitel
N csatornás
- I(d)
6.5 A
- UBR DSS
60 V
- Teljesítmény (max.) P(TOT)
3.7 W
- R(DS)(on)
41 mΩ
- Referencia áram R(DS)(on)
5.3 A
- Referencia feszültség R(DS)(on)
10 V
- U(GS)(th) max.
3 V
- Referencia áram max. U(GS)(th)
250 µA
- Q(G)
25 nC
- Referencia feszültség Q(G)
10 V
- C(ISS)
840 pF
- Referencia feszültség C(ISS)
30 V
- Üzemi hőmérséklet (min.)
-55 °C
- Szerelési mód
Felületi szerelés
- Sorozat
TrenchFET®
- Üzemi hőmérséklet (max.)
+175 °C
- Tranzisztor jellemzők
Logikai szint kapu
- U(DSS)
60 V
- Csatornák
2
- Tartalom
1 db
- Típus
SI4946BEY-T1-E3
- Ház típus
SOIC-8
Dokumentumok és letöltések
Adatlap
Adatlap 597347 MOSFET 2N-KA SI4946BEY-T1-E3 SOIC-8 VIS
Kezelési- és biztonsági utasítások
Kezelési- és biztonsági utasítások 597347 MOSFET 2N-KA SI4946BEY-T1-E3 SOIC-8 VIS
Milyen típusú MOSFET-ek terméket keres?
Tartozékok
(*Az árak nem tartalmazzák az ÁFA-t.)A szükséges tartozék nélkülözhetetlen a termék leírás szerinti használatához.
