Hasonló kivitel
MOSFET N-K SI2308BDS-T1-GE3 SOT-23-3 VIS
Termék típus
MOSFET
Ház
SOT-23-3
Kivitel
N csatornás
Teljesítmény (max.) P(TOT)
1.66 W
R(DS)(on)
156 mΩ
Adatlap (PDF)
EAN:
Gyártól szám:
Rendelési szám:
Összesen (195Ft / Darab)
195Ft
ÁFÁ-val
14 napos visszavételi garancia
Főbb jellemzők
MOSFET
Szolgáltatásunk az Ön számára
Műszaki adatok
- Gyártói szám
SI2308BDS-T1-GE3
- Termék típus
MOSFET
- Ház
SOT-23-3
- Gyártó
Vishay
- Gyártó
VIS
- Kivitel
N csatornás
- I(d)
2.3 A
- UBR DSS
60 V
- Teljesítmény (max.) P(TOT)
1.66 W
- R(DS)(on)
156 mΩ
- Referencia áram R(DS)(on)
1.9 A
- Referencia feszültség R(DS)(on)
10 V
- U(GS)(th) max.
3 V
- Referencia áram max. U(GS)(th)
250 µA
- Q(G)
6.8 nC
- Referencia feszültség Q(G)
10 V
- C(ISS)
190 pF
- Referencia feszültség C(ISS)
30 V
- Üzemi hőmérséklet (min.)
-55 °C
- Szerelési mód
Felületi szerelés
- Sorozat
TrenchFET®
- Üzemi hőmérséklet (max.)
+150 °C
- Tranzisztor jellemzők
Standard
- U(DSS)
60 V
- Csatornák
1
- Tartalom
1 db
- Típus
SI2308BDS-T1-GE3
- Ház típus
SOT-23-3
Dokumentumok és letöltések
Adatlap
Adatlap 597300 MOSFET N-K SI2308BDS-T1-GE3 SOT-23-3 VIS
Kezelési- és biztonsági utasítások
Kezelési- és biztonsági utasítások 597300 MOSFET N-K SI2308BDS-T1-GE3 SOT-23-3 VIS
Milyen típusú MOSFET-ek terméket keres?
Tartozékok
(*Az árak nem tartalmazzák az ÁFA-t.)A szükséges tartozék nélkülözhetetlen a termék leírás szerinti használatához.
