Hasonló kivitel
MOSFET ON Semiconductor FDC3512 1 N csatornás 800 mW SOT-23-6
Termék típus
MOSFET
Ház
SOT-23-6
Kivitel
N csatornás
Teljesítmény (max.) P(TOT)
800 mW
R(DS)(on)
77 mΩ
EAN:
Gyártól szám:
Rendelési szám:
Összesen (335Ft / Darab)
1090Ft
-69 %
335Ft
ÁFÁ-val
14 napos visszavételi garancia
Főbb jellemzők
MOSFET
Szolgáltatásunk az Ön számára
Műszaki adatok
- Gyártói szám
FDC3512
- Termék típus
MOSFET
- Ház
SOT-23-6
- Gyártó
ON Semiconductor
- Gyártó
OnS
- Kivitel
N csatornás
- I(d)
3 A
- UBR DSS
80 V
- Teljesítmény (max.) P(TOT)
800 mW
- R(DS)(on)
77 mΩ
- Referencia áram R(DS)(on)
3 A
- Referencia feszültség R(DS)(on)
10 V
- U(GS)(th) max.
4 V
- Referencia áram max. U(GS)(th)
250 µA
- Q(G)
18 nC
- Referencia feszültség Q(G)
10 V
- C(ISS)
634 pF
- Referencia feszültség C(ISS)
40 V
- Üzemi hőmérséklet (min.)
-55 °C
- Szerelési mód
Felületi szerelés
- Sorozat
PowerTrench®
- Üzemi hőmérséklet (max.)
+150 °C
- Tranzisztor jellemzők
Standard
- U(DSS)
80 V
- Csatornák
1
- Tartalom
1 db
Dokumentumok és letöltések
Kezelési- és biztonsági utasítások
Kezelési- és biztonsági utasítások 1263334 MOSFET ON Semiconductor FDC3512 1 N csatornás 800 mW SOT-23-6
Milyen típusú MOSFET-ek terméket keres?
Tartozékok
(*Az árak nem tartalmazzák az ÁFA-t.)A szükséges tartozék nélkülözhetetlen a termék leírás szerinti használatához.
További érdekes termékek
(*Az árak nem tartalmazzák az ÁFA-t.)
-84%
Conrad Electronic
245Ft
40Ft*
